Substrat GaAs
Katerangan
Gallium Arsenide (GaAs) mangrupakeun grup III-Ⅴ sanyawa semikonduktor penting tur dewasa, ayeuna teh loba dipaké dina widang optoelectronics na microelectronics.GaAs utamana dibagi kana dua kategori: semi-insulating GaAs jeung N-tipe GaAs.GaAs semi-insulating utamana dipaké pikeun nyieun sirkuit terpadu jeung MESFET, HEMT jeung struktur HBT, nu dipaké dina radar, gelombang mikro jeung komunikasi gelombang milimeter, komputer-speed tinggi ultra jeung komunikasi serat optik.The N-tipe GaAs utamana dipaké dina LD, LED, deukeut lasers infra red, kuantum well-daya tinggi lasers sarta-efisiensi tinggi sél surya.
Pasipatan
| Kristal | Doped | Jenis konduksi | Konsentrasi Aliran cm-3 | Kapadetan cm-2 | Métode Tumuwuh |
| GaAs | Euweuh | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | > 5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | > 5×1017 |
Harti substrat GaAs
Substrat GaAs nujul kana substrat anu didamel tina bahan kristal galium arsenide (GaAs).GaAs nyaéta sanyawa semikonduktor anu diwangun ku unsur galium (Ga) jeung arsénik (As).
Substrat GaAs sering dianggo dina widang éléktronika sareng optoeléktronik kusabab sipat anu saé.Sababaraha sipat konci substrat GaAs diantarana:
1. Mobilitas éléktron tinggi: GaAs boga mobilitas éléktron luhur batan bahan semikonduktor umum lianna kayaning silikon (Si).Ciri ieu ngajadikeun substrat GaAs cocog pikeun alat éléktronik kakuatan tinggi frekuensi tinggi.
2. gap band langsung: GaAs boga gap band langsung, nu hartina émisi cahaya efisien bisa lumangsung nalika éléktron jeung liang recombine.Karakteristik ieu ngajadikeun substrat GaAs idéal pikeun aplikasi optoeléktronik sapertos dioda pemancar cahaya (LED) sareng laser.
3. Wide Bandgap: GaAs ngabogaan bandgap lega ti silikon, ngamungkinkeun pikeun beroperasi dina suhu nu leuwih luhur.Sipat ieu ngamungkinkeun alat basis GaAs tiasa beroperasi langkung éfisién dina lingkungan suhu luhur.
4. Noise low: substrat GaAs némbongkeun tingkat noise low, sahingga cocog pikeun amplifier noise lemah sareng aplikasi éléktronik sénsitip séjén.
Substrat GaAs loba dipaké dina alat éléktronik jeung optoeléktronik, kaasup transistor-speed tinggi, sirkuit terpadu gelombang mikro (ICs), sél photovoltaic, detéktor foton, jeung sél surya.
Substrat ieu tiasa disiapkeun nganggo sababaraha téknik sapertos Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE) atanapi Liquid Phase Epitaxy (LPE).Métode pertumbuhan khusus anu dianggo gumantung kana aplikasi anu dipikahoyong sareng syarat kualitas substrat GaAs.
