GAGG: Ce Scintillator, GAGG Kristal, GAGG Scintillation Kristal
Kauntungan
● kakuatan stopping alus
● kacaangan High
● Low afterglow
● waktos buruk gancang
Aplikasi
● kaméra Gamma
● PET, PEM, SPECT, CT
● X-ray & deteksi sinar Gamma
● pamariksaan wadahna énergi tinggi
Pasipatan
| Tipe | GAGG-HL | Kasaimbangan GAGG | GAGG-FD |
| Sistim Kristal | Kubik | Kubik | Kubik |
| Kapadetan (g/cm3） | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| Ngahasilkeun Cahaya (foton/kev) | 60 | 50 | 30 |
| Waktu Busuk (ns) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| Panjang Gelombang Tengah (nm) | 530 | 530 | 530 |
| Titik lebur (℃) | 2105 ℃ | 2105 ℃ | 2105 ℃ |
| Koéfisién atom | 54 | 54 | 54 |
| Resolusi énergi | <5% | <6% | <7% |
| Radiasi diri | No | No | No |
| Higroskopis | No | No | No |
Panjelasan Produk
GAGG: Ce (Gd3Al2Ga3O12) gadolinium aluminium gallium Garnet doped kalawan cerium.Éta mangrupikeun scintillator énggal pikeun tomografi komputasi émisi foton tunggal (SPECT), sinar gamma sareng deteksi éléktron Compton.Cerium doped GAGG:Ce gaduh seueur sipat anu cocog pikeun spéktroskopi gamma sareng aplikasi pencitraan médis.Hasilna foton anu luhur sareng puncak émisi sakitar 530 nm ngajantenkeun bahan éta cocog pikeun dibaca ku detéktor Silicon Photo-multiplier.Epik kristal dimekarkeun 3 rupa GAGG: Ce kristal, kalawan waktu buruk gancang (GAGG-FD) kristal, has (GAGG-Balance) kristal, kaluaran lampu luhur (GAGG-HL) kristal, pikeun konsumén dina widang béda.GAGG:Ce mangrupakeun scintillator pisan ngajangjikeun dina widang industri énergi tinggi, nalika eta dicirikeun dina test hirup dina 115kv, 3mA jeung sumber radiasi lokasina dina jarak 150 mm ti kristal, sanggeus 20 jam kinerja ampir sarua jeung seger. hiji.Eta hartina eta boga prospek alus pikeun tahan dosis tinggi dina irradiation sinar-X, tangtu eta gumantung kana kaayaan irradiation jeung bisi bade salajengna jeung GAGG pikeun NDT test pasti salajengna perlu dipigawé.Di sagigireun GAGG tunggal: Kristal Ce, urang bisa fabricate kana linier jeung 2 diménsi Asép Sunandar Sunarya, ukuran piksel na separator bisa dihontal dumasar sarat.Kami ogé parantos ngembangkeun téknologi pikeun GAGG keramik: Ce, éta gaduh waktos ngarengsekeun kabeneran langkung saé (CRT), waktos buruk langkung gancang sareng kaluaran cahaya anu langkung luhur.
Resolusi énergi: GAGG Dia2"x2", 8,2% Cs137@662Kev
pagelaran Afterglow
kinerja kaluaran lampu
Résolusi Timing: Gagg Fast buruk Time
(a) Resolusi waktos: CRT=193ps (FWHM, jandela énergi: [440keV 550keV])
(a) Résolusi Timing vs.tegangan bias: (jandela énergi: [440keV 550keV])
Punten dicatet yén émisi puncak GAGG nyaéta 520nm sedengkeun sénsor SiPM dirancang pikeun kristal kalayan émisi puncak 420nm.PDE pikeun 520nm nyaéta 30% langkung handap dibandingkeun sareng PDE pikeun 420nm.CRT GAGG tiasa ningkat tina 193ps (FWHM) ka 161.5ps (FWHM) upami PDE sensor SiPM pikeun 520nm bakal cocog sareng PDE pikeun 420nm.
