Substrat SiC
Katerangan
Silicon carbide (SiC) mangrupakeun sanyawa binér Grup IV-IV, éta hiji-hijina sanyawa padet stabil dina Grup IV tina Table periodik, Ieu mangrupa semikonduktor penting.SiC ngagaduhan sipat termal, mékanis, kimia sareng listrik anu saé, anu ngajantenkeun janten salah sahiji bahan anu pangsaéna pikeun ngadamel alat éléktronik suhu luhur, frékuénsi luhur, sareng kakuatan tinggi, SiC ogé tiasa dianggo salaku bahan substrat. pikeun dioda pemancar cahaya biru dumasar GaN.Ayeuna, 4H-SiC mangrupikeun produk utama di pasar, sareng jinis konduktivitas dibagi kana jinis semi-insulating sareng jinis N.
Pasipatan
| Barang | 2 inci 4H N-tipe | ||
| Diameter | 2 inci (50,8 mm) | ||
| Kandelna | 350+/-25um | ||
| Orientasi | kaluar sumbu 4.0˚ nuju <1120> ± 0.5˚ | ||
| Orientasi Datar primér | <1-100> ± 5° | ||
| Datar sekundér Orientasi | 90,0˚ CW ti Datar Primer ± 5,0˚, Si Nyanghareup ka luhur | ||
| Panjang Datar primér | 16 ± 2.0 | ||
| Sekundér Datar Panjang | 8 ± 2.0 | ||
| Kelas | Kelas produksi (P) | Kelas panalungtikan (R) | Kelas dummy (D) |
| Résistansi | 0,015~0,028 Ω·cm | <0,1 Ω·cm | <0,1 Ω·cm |
| Kapadetan Micropipe | ≤ 1 mikropipe/cm² | ≤ 1 0 mikropipes/ cm² | ≤ 30 mikropipe/cm² |
| Kakasaran Permukaan | Si raray CMP Ra <0.5nm, C raray Ra <1 nm | N/A, wewengkon bisa dipaké > 75% | |
| TTV | <8 emh | <10 emh | <15 emh |
| ruku | <± 8 emh | <± 10um | <± 15um |
| Leumpang | <15 emh | <20 emh | <25 emh |
| Rengkak | Euweuh | Panjang kumulatif ≤ 3 mm | Panjang kumulatif ≤10mm, |
| Goresan | ≤ 3 goresan, kumulatif | ≤ 5 goresan, kumulatif | ≤ 10 goresan, kumulatif |
| Lempeng Hex | maksimal 6 piring, | maksimal 12 piring, | N/A, wewengkon bisa dipaké > 75% |
| Wewengkon Polytype | Euweuh | Wewengkon kumulatif ≤ 5% | Wewengkon kumulatif ≤ 10% |
| Kontaminasi | Euweuh | ||
